Samsung e IBM revelam projeto de transistor empilhado

Samsung e IBM anunciaram um avanço em suas pesquisas sobre semicondutores que poderia estender o limite da lei de Moore para o projeto de semicondutores. 

Samsung e IBM revelam projeto de transistor empilhado. Os chips atuais usam transistores FinFET onde os transistores ficam planos na superfície do silício com eletricidade fluindo lado a lado, mas os novos Transistores de Efeito de Campo de Transporte Vertical (VTFET) ficam perpendiculares entre si e a corrente flui verticalmente.

A lei de Moore afirma que o número de transistores em um chip dobrará a cada dois anos, mas porque há um limite físico de quantos transistores cabem no chip. 

Os especialistas prevêem que chegará o tempo em que a taxa de progresso diminuirá e a observação não mais se aplicará.

Os dois gigantes da tecnologia afirmam que a vantagem do VTFET é que ele estenderá o limite além da tecnologia atual de nanofolhas da IBM.

[Foto: Samsung / IBM]

Samsung e IBM revelam projeto de transistor empilhado

 O mais recente design de chip da IBM , revelado no início deste ano, usa tecnologia de 2 nm e acomoda até 50 bilhões de transistores.

Entretanto a Samsung e a IBM estimam que o VTFET fará com que os processadores dobrem de velocidade ou usem 85% menos energia. 

As empresas afirmam que o design pode um dia levar a telefones que podem durar uma semana inteira, embora não tenham mencionado; quando essa nova tecnologia estaria comercialmente disponível.

 Também vale a pena apontar que as duas empresas não são as únicas trabalhando nesta tecnologia, já que a Intel revelou; recentemente que também estão trabalhando em chips empilhados.